Trincheira MOSFET:
Principais recursos

•Design de alta densidade celular
•Ideal para embalagens miniaturizadas
•Proteção G-S ESD incorporada
•Faixa de tensão: 12V-200V

SGT MOSFET

Principais recursos
•Tecnologia avançada de trincheira de portão blindado
• Carga de portão ultra baixa
•Integração de alta potência
•Faixa de tensão: 30V-250V

Variações da Família do Produto:

Pacotes: DFN2*2-6L | PDFN3*3-8L | SOP-8L | TO-252 | PDFN5*6-8L | TO-263 | TO-220F | SOT-223 | PDFN5060-8L | DFN2020-6L | TO247 | TO-220

VDS(V) - -150 até 300
Vgs Max(V) - ±10 | ±20 | ±12 | ±8
ID(A)@TA=25°C(Max.) - -2 até 190
VGS(th)(v)(Typ.) - -3 até 3.2
Rds(on)(m)@Vgs=10V(Max.) - 0 até 770
Rds(on)(m)@Vgs=4.5V(Max.) - 2.7 até 950