Trincheira MOSFET:
Principais recursos

•Design de alta densidade celular
•Ideal para embalagens miniaturizadas
•Proteção G-S ESD incorporada
•Faixa de tensão: 12V-200V

SGT MOSFET

Principais recursos
•Tecnologia avançada de trincheira de portão blindado
• Carga de portão ultra baixa
•Integração de alta potência
•Faixa de tensão: 30V-250V

Variações da Família do Produto:

Pacotes: DFN2*2-6L | PDFN3*3-8L | SOP-8L | TO-252 | PDFN5*6-8L | TO-263-7L | TO-220F | SOT-223 | PDFN5060-8L | DFN2*2-6L | TO-251 | TO-220 | TOLL | PDFN3030-8L | TO-247 | TO263 | TO252 | TO-220F-NL

VDS(V) - 30 até 250
Vgs Max(V) - ±20
ID(A)@TA=25°C(Max.) - 4.8 até 400
VGS(th)(v)(Typ.) - 1.5 até 3.8
Rds(on)(m)@Vgs=10V(Max.) - 0.7 até 68
Rds(on)(m)@Vgs=4.5V(Max.) - 0 até 80