Trincheira MOSFET:
Principais recursos

•Design de alta densidade celular
•Ideal para embalagens miniaturizadas
•Proteção G-S ESD incorporada
•Faixa de tensão: 12V-200V

SGT MOSFET

Principais recursos
•Tecnologia avançada de trincheira de portão blindado
• Carga de portão ultra baixa
•Integração de alta potência
•Faixa de tensão: 30V-250V

Variações da Família do Produto:

Pacotes: DFN2*3-6L | PDFN3*3-8L | SOP-8L | PDFN5*6-8L |PDFN5060-8L | PDFN3030-8L | DFN3030-8L | CSP2.14*1.67 | CSP1.5*1
5

VDS(V) - -60 até 100
Vgs Max(V) - ±12 | ±20 | ±10
ID(A)@TA=25°C(Max.) - -30 até 130
VGS(th)(v)(Typ.) - -1.8 até 1.7
Rds(on)(m)@Vgs=10V(Max.) - 0 até 290
Rds(on)(m)@Vgs=4.5V(Max.) - 1.8 até 310